校正程序 

表1總結(jié)了所有被研究和實現(xiàn)的方法，并將其分為前8個類（A、B、C、D、E、F、G或H）之 一。對于每種方法，還包括了所需的內(nèi)在系數(shù)的列表。為了澄清這些系數(shù)的含義，表2包含了每 個所需的內(nèi)在系數(shù)的一行，并提供了一種如果制造商沒有提供的方法來估計其值的參考。在本 節(jié)的其余部分，將簡要解釋每一種研究的方法，提供要應(yīng)用的方程。

B01：噴嘴的方法 

根據(jù)布萊瑟和Rossi [42]，為了修正在初始條件下測量的I-V曲線(G1，T1）到新的條件 (G2，T2)，可以執(zhí)行以下步驟：

(a)應(yīng)計算輔助曲線U（未校正），保持電壓 每個點j的分量不變（公式（41）)，但根據(jù)（公式（42）)對電流分量進行移動： 

其中= (G2/GSTC) · aSTC是指G2（縮放由制造商提供的值）[83]。

(b)短路電流ISC,U未校正的曲線必須用各種方法來確定 在V = 0附近的點的插值[76]。這個ISC,U也已經(jīng)短路電流ISC,2 Z終修正后的曲線。

(c)以類似的方式，開路電壓voc，u同樣通過對I = 0附近的點的插值[76]來確定未校正的曲線 。 

(d)校正曲線的開路電壓的Z終值應(yīng)使用（公式（43）)進行估算，其中第1版是原始曲線的開 路電壓，Vth1是電池溫度下的熱電壓嗎T1,ns為串聯(lián)的細胞數(shù)，m為二極管理想因子。

(e)對于未校正曲線U中的每一個點j，對電壓比較進行縮放 根據(jù)式（式（45）)，保持電流分量不變，得到Z終修正的曲線：

B02：阿隆索-阿貝拉法 

在這個方法中，[43]，ISC2和第2版首先計算與修正后曲線對應(yīng)的曲線，然后應(yīng)用一系列 的位移來擬合單個點，使新的修正曲線在這些點精確地與軸相交。為了糾正從(G1，T1）至(G2 ，T2)，我們繼續(xù)進行如下所述：

(a)的值ISC2和第2版修正后的曲線是通過 （式（46）和（47）)，假設(shè)a指G2:

(b)對于原始曲線的每個點j，當前分量應(yīng)移動到 DIk=1 =ISC2—ISC1（其中k = 1表示我們在D一次迭代中），而不改變電壓分量（式（48 ））。此新的輔助曲線將通過該點（0，ISC2)：

(c)基于本次迭代曲線的點集，其開路電壓VOC，k=1通過I = 0附近點的插值[76]來確定。 (d)下一步（迭代k = 2）包括應(yīng)用另一個移位DVk=2=VOC，2—VOC，k= 1 僅針對每個點j的電壓 分量，不改變電流分量（式（49）)。所得到的曲線必須通過點（VOC、2、0）：

(e)再次，使用I = 0附近的點，即短路電流ISC,k=2是估計 通過插值[76]。 (f)如果差值為DIk=3 =ISC2—ISC,k=2低于預設(shè)閾值q，算法 已完成。否則，我們必須繼續(xù)將下一個迭代k + 1返回到步驟(b)，直到該差異滿足閾值。 

B03：JRC方法

在Ispra的聯(lián)合研究中心，開發(fā)了一種替代矯正程序。而每個離散點j的電流分量是通過縮 放獲得的（如A型的方法），每個電壓分量是通過一個附加的位移來修正的（這對于每個點j可 能是不同的）。首先，修正值ISC2和第2版使用（公式（50）和（51）)進行計算：

接下來，使用（公式（52）和（53）)對每個離散點j的兩個分量進行修正：

B04： IEC 60891：2021程序1 

IEC 60891：2021 [3]的“程序1”描述了如何使用串聯(lián)電阻修正測量的I-V曲線到其他輻 照度和電池溫度的條件接收站以及溫度系數(shù)a、β和k（J對值）。該程序是應(yīng)用Z廣泛的代數(shù) 校正方法，它應(yīng)用的方程與桑德斯特羅姆[2]在1967年提出的方法幾乎相同。許多年后，在 1987年，國際電工委員會（IEC）首次采用這些方程作為標準程序[84]，對測量的I-V曲線進行 輻照度和溫度的修正。事實上，IEC 60891：2021 [3]提供了額外的程序，但前者仍然是Z廣泛使用的程序。建議應(yīng)用它，只要初始輻照度 G1是否在目標輻照度的30%以內(nèi)G2. 每個點（V j)將原始曲線轉(zhuǎn)換為點(V2 (j ) , Ij))以下第二條曲線（公式（54）和（55）)

β和k的J對值，通常在STC中報告，可以直接使用。然而，金等人。[32]強調(diào)了公式中使 用的a的值應(yīng)該從aSTC到目標輻照度G2使用（方程（56）)：

Z初，這個程序認為串聯(lián)電阻Rs是一個常數(shù)，但實際上它依賴于電池溫度T，可以認為對 于PV模塊[77]的實際工作范圍是線性的。因此，該方法的一個直接和簡單的改進[85]包括利用 [85]的可用性(J對變化接收站關(guān)于T)，在應(yīng)用程序之前，糾正給定的值Rs, STC（指TSTC = 25 C)到初始溫度T1使用（方程（57）)：

接收站=接收站,STC+ k · (T1 — TSTC)

B05：簡化的IEC 60891程序1 

以前的方法很難精確地應(yīng)用于[45]，因為的值接收站和k通常是不可用的，因為制造商只 在規(guī)格說明書中包含了所需的參數(shù)a和β（或它們各自的相對對應(yīng)參數(shù)）。因此，假設(shè)一個串聯(lián) 電阻的值并不罕見接收站= 0 W和k = 0 W/K。因此，要應(yīng)用的表達式可以簡化為（式（58）和 （59）)：

B06： IEC 60891：2009程序2

該程序只包含在IEC 60891的第二版中 （IEC 60891：2009 [46]），并在新的第三 版（IEC 60891：2021 [3]）中被替換。即便如此，之前版本的“程序2”已經(jīng)包含在這項工 作中，以便便于比較。在這種方法中，在“程序1”中引入了一個額外的校正參數(shù)，以考慮輻照 度變化對PV器件電壓輸出的影響（在這里命名為6，但在標準中注明為a）。 該方法使用替代方程（方程（60）和（61）），理論上，當初始輻照度和目標輻照度之間 的差超過30%時，會比程序1得到更好的結(jié)果。在這些公式中，而不是使用溫度系數(shù)a和β的絕 對值，這些參數(shù)需要在它們的相對對應(yīng)物中使用ar和βr，以1/K表達。作為ar用相對術(shù)語表示 ，不必要將其值擴展到目標條件。然而，Rs可以翻譯為TSTC向T1使用（方程（57）)。

B07：修改后的IEC 60891：2009程序2 

根據(jù)實驗結(jié)果，李等人。[47]在使用上述方法B06時，觀察到預測數(shù)據(jù)和測量數(shù)據(jù)之間存 在顯著偏差。因此，他們提出了對表達式的修改，用于修改I-V曲線中每個點j的電壓分量（式 （62）)：

B08： IEC 60891：2021程序2 

在前一版（IEC 60891：2009 [46]）和新的第三版（IEC 60891：2021 [3]）之間Z重要的變化之一是“程序2”的改進，以考慮到輻照度校正因子的非線性。而不是有一個W一的6， 兩個輻照度校正因子61和62被使用(注意到B1和B2在標準)。D一步包括計算f（G1）和f（G2） ，使用f（·）（式（63）)的定義：

在第二步中，必須應(yīng)用（等式（64）)： h(G1, T1, G2, T2)=f (G2) · (T2 — TSTC) —f (G1) · (T1 — TSTC) 使用電流和電壓溫度系數(shù)的相對版本（見公式（（65）和（66））。此外，盧比,STC也可 以用（式（57）)轉(zhuǎn)換為Rs。

在（式（66）)中的值VOC、STC是必需的。如果不可用，則可以使用（式（67）)進行計算 ：

B09： IEC 60891：2021程序4 

該程序4在IEC 60891：2021 [3]中是一個新穎的程序，它可以用于校正大范圍的輻照度和 溫度水平。該方法是基于久川等人之前的一篇文章。[86]和它與單二極管模型密切相關(guān)，所以 如果設(shè)備不能很好地調(diào)整到該模型，它可能是不準確的。除了當前的溫度系數(shù)ar和串聯(lián)電阻Rs 外，還需要了解一個名為#的技術(shù)相關(guān)參數(shù)。該方法假設(shè)這是一個不依賴于條件的常數(shù)，建議所 有晶體硅光伏組件的值為# =1.232 V。對于使用其他技術(shù)的模塊，應(yīng)根據(jù)實驗數(shù)據(jù)調(diào)整參數(shù)。 翻譯過程分兩步進行。首先，每個I-V對(V j) , I j) )被移到一個輔助點（Vj），I j) )， 以糾正兩者之間的輻照度差距G1和G2使用（公式（68）和（69）)：

第二步是校正這些點，以考慮到兩者之間的溫差T1和T2通過（公式（70）和（71）)： (70) (71) 其中Ns是串聯(lián)和中的細胞數(shù)ISC, STC是STC的短路電流也應(yīng)該知道。如果情況并非如此，則可 以使用（式（72）)進行估計：ISC, STC= 

B10：修改后的IEC 60891：2021程序4 (b) 

這是前一種方法B09的一個輕微變體。實際上，與技術(shù)相關(guān)的參數(shù)#具有物理意義[86]：它 是二極管理想性因子m和材料帶隙能量E的乘積g關(guān)于T1（公式（73）)： # = m·例如（T1）（73） 來估計帶隙能量Eg（以eV表示）的特定半導體材料作為器件溫度T的函數(shù)，可以使用（式 （74）) [79]：

在哪里埃及0K（在0開爾文處的帶隙能量），ρA和ρB應(yīng)該從文獻中提取每個特定的技術(shù)。

鏈接：IEC60891和其他溫度和輻照度校正程序與光伏器件I-V特性的比較